株式会社 テックサイエンス
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製品NEWS

2013年7月 PYS測定のほかにIPESの受託測定 を承ります

Surface Analysis
表面エネルギー測定

PYS光電子収量分光装置

光起電力分光装置

走査型ケルビンプローブ

UHVケルビンプローブ

X線源

電子銃

製品分類
表面特性分析

AFM・STM・SPM

AFMプローブ・カンチレバー

三次元微細形状測定装置

光電子分光測定

LEED電子線回折装置

イオン化ポテンシャル
仕事関数

磁気センサーマイクロセンサ

材料

バイオ表面解析

熱顕微鏡熱分布測定
 
測定事例

校正標準リーク

受託分析 受託測定

  IPES逆光電子分光装置 
有機物のLUMO準位HOMO準位を知る 

IPES逆光電子分光装置は、固体表面の非占有準位(伝導体)の電子状態を観測できま す。それに対してUPSやXPSでは占有準位(価電子体)の電子状態を知ることができる ので、これらの装置を組み合わせる事により、半導体と有機膜のエネルギーバンド構造を知るこ とができます。UHVケルビンプローブとIPESとイオン化ポテンシャル測定装置のPYS複合装置を開発しました。HOMO-LUMO測定装置として同じ環境下で詳細なエネルギーバンドを測定できます。
逆光電子分光装置は固体に電子線を照射し、その電子が固体の非占有状態に遷移する 過程で発する光のエネルギーを観測することにより、固体表面の非占有状態の電子構 造を知ることができます。逆光電子分光法には、放出光のエネルギー分布を測定する TPE モードと、照射する電子線のエネルギーを走査して特定の光エネルギーだけを検 出するBISモードの二通りの測定手法があります。PSP社逆光電子分光装置ではBIS モードを採用しております。

エネルギーバンド構造を解析する装置として以下をご提供できます。

フェルミ準位から真空準位までのエネルギー仕事関数測定 ケルビンプローブ
価電子帯上端から真空準位までのイオン化ポテンシャル測定 PYS光電子
収量分光装置
XPS光電子分光測定  AES測定 X線源、電子銃、
半球型アナライザー

試料に電子線を入射することにより、電子は非占有状態で変化し光が発散されます。光の強度は電子線の中に含まれる運動エネルギー(Kinetic Energy)から検出しています。 
電子銃のエネルギー分解能は0.3eV, 検出器は0.5eV。
有機分子のUPS・IPESのスペクトルを観測できます。

IPESの測定例と文献

IPES電子銃と制御電源
IPES逆光電子分光装置

主な仕様
ビーム径 Φ1-3mm
ビームエネルギ: 5-50eV
分解能 電子銃0.3eV
試料電流: 10µA
動作距離: 20-50mm
最適値 25mm
取付フランジ: ICF70
IPES逆光電子分光装置 仕様

装置構成

  • IPES電子銃 BaOフィラメント採用
  • 電子銃制御電源
  • IPES検出器
  • ディテクタ制御電源
  • プリアンプ
  • ディスクリミネータ
  • データ取込システム

小型で導入が容易
既存チャンバーのICF70ポートに取り付けが可能

ZnPcとFZnPcのUPS・IPESのスペクトル

メーカーリンク: PSP Vacuum Technology
エネルギーバンド構造
PYS_fermi
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